HAC-102型非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池中試CVD-PVD線(xiàn)
功能用途：
非標(biāo)定制設(shè)備，主要用于在單晶硅片上采用熱絲CVD方式鍍制非晶硅p層、非晶硅i層、非晶硅n層；采用磁控濺射（PVD）方式鍍制TCO薄膜。包含多種結(jié)構(gòu)、運(yùn)行和工藝靈活調(diào)控功能，適合于非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池工藝與設(shè)備技術(shù)中試研究。
● 設(shè)備總體構(gòu)成：
-In-line 立式結(jié)構(gòu)，雙片載板進(jìn)入Load腔，單片載板出Unload 腔，載板垂直放置。每次沉積為雙載板同時(shí)進(jìn)入腔體；
-包含９腔。1腔為L(zhǎng)oad 腔體，2、3、5、6腔為熱絲ＣＶＤ腔；4腔與7腔為載板位置變換腔體同時(shí)也帶有加熱功能；8腔為磁控濺射腔，可In-line 方式雙面沉積TCO薄膜；9腔為Unload出片腔。
- 載板可以多種方式在各個(gè)腔體之間轉(zhuǎn)移或者停留；
-硅片從1號(hào)腔移動(dòng)到9號(hào)腔，可一次完成兩個(gè)載片的硅片兩面I/N/TCO 和I/P/TCO的鍍膜。
- 載板結(jié)構(gòu)：載運(yùn)２x2全尺寸硅片；鏤空結(jié)構(gòu)。
- 含工藝氣體需要的所有超純氣體的供氣系統(tǒng)，符合各項(xiàng)安全以及氣體純度等方面要求。
- 熱絲到載板距離、磁控濺射靶到基板的距離可調(diào)；
- 載板運(yùn)動(dòng)、鍍膜工藝的進(jìn)行均自動(dòng)抽空，同時(shí)配備必要的緊急手動(dòng)控制。
全部產(chǎn)品
每小時(shí)4000片166硅片，最大可兼容210硅片；配套其它國(guó)產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)平均電池效率>24.5%。
每小8000片166硅片，最大可兼容210硅片；配套其它國(guó)產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)平均電池效率>24.5%。
非標(biāo)定制設(shè)備，主要用于在單晶硅片上采用熱絲CVD方式鍍制非晶硅p層、非晶硅i層、非晶硅n層；采用磁控濺射（PVD）方式鍍制TCO薄膜。
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